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RF 전력증폭기의 온도 보상을 위한 능동 바이어스 회로의 구현 및 특성 측정
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 이상규 | - |
| dc.date.accessioned | 2017-02-22T02:27:27Z | - |
| dc.date.available | 2017-02-22T02:27:27Z | - |
| dc.date.issued | 2007 | - |
| dc.date.submitted | 2007-01-19 | - |
| dc.identifier.uri | http://kmou.dcollection.net/jsp/common/DcLoOrgPer.jsp?sItemId=000002174415 | ko_KR |
| dc.identifier.uri | http://repository.kmou.ac.kr/handle/2014.oak/8435 | - |
| dc.description.abstract | In this paper, the power amplifier using active bias circuits for LDMOS(Lateral Diffused Metal Oxide Semiconductor) MRF-21060 is designed and fabricated. According to change the temperature, the gate voltage of LDMOS is controlled by the fabricated active bias circuits, which is made of PNP transistor to suppress drain current. The driving amplifier using AH1 and parallel power amplifier AH11 is made to drive the LDMOS MRF-21060 power amplifier. The variation of current consumption in the fabricated 5 Watt power amplifier has an excellent characteristics of less than 0.1 A, whereas passive biasing circuit dissipate more than 0.5 A. The implemented power amplifier has the gain over 12 dB, the gain flatness of less than ±0.09 dB and input and output return loss of less than -19 dB over the frequency range 2.11 ~ 2.17 GHz. The DC operation point of this power amplifier at temperature variation from 0 ℃ to 60 ℃ is fixed by active bias circuit. | - |
| dc.description.tableofcontents | 제 1 장 서론 = 1 1.1 연구 배경 = 1 1.2 연구 목적 = 2 제 2 장 초고주파 전력증폭기의 기본이론 = 4 2.1 전력이득 = 4 2.2 안정성 = 8 2.3 증폭기의 잡음 = 12 2.4 비선형 특성 = 15 제 3 장 온도 보상용 능동 바이어스 회로 설계 = 18 3.1 MRF-21060 소자의 특성 = 18 3.2 LDMOS FET 전력증폭기의 바이어스 = 20 3.3 능동 바이어스 회로 설계 = 23 3.4 구동 증폭단의 설계 = 26 3.5 5 Watt 단위 이득 증폭기 = 31 제 4 장 전력증폭기용 온도 보상회로의 제작 및 측정 = 34 4.1 온도 보상용 능동 바이어스 회로의 제작 = 34 4.2 특성 측정 및 평가 = 35 제 5 장 결론 = 39 참고 문헌 = 40 | - |
| dc.language | kor | - |
| dc.publisher | 한국해양대학교 해사산업대학원 | - |
| dc.title | RF 전력증폭기의 온도 보상을 위한 능동 바이어스 회로의 구현 및 특성 측정 | - |
| dc.title.alternative | Implementation and Evaluation of Active Biasing Circuit for Temperature Compensation of RF Power Amplifier | - |
| dc.type | Thesis | - |
| dc.date.awarded | 2007-02 | - |
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- 전기‧전자‧제어공학과 > Thesis
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