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Ⅲ족 질화물 반도체를 이용한 異種接合구조 발광다이오드의 성장과 특성에 관한 연구
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 이강석 | - |
| dc.date.accessioned | 2017-02-22T07:00:29Z | - |
| dc.date.available | 2017-02-22T07:00:29Z | - |
| dc.date.issued | 2012 | - |
| dc.date.submitted | 56987-11-06 | - |
| dc.identifier.uri | http://kmou.dcollection.net/jsp/common/DcLoOrgPer.jsp?sItemId=000002174503 | ko_KR |
| dc.identifier.uri | http://repository.kmou.ac.kr/handle/2014.oak/10135 | - |
| dc.description.abstract | 본 논문에서 GaN와 AlGaN, InAlGaN 등의 질화물 반도체를 이용하여 발광다이오드 소자를 제작하였다. 그리고 MS-HVPE 방법을 이용하여 n-clad 층, 활성층, p-clad층, p-cap층 등 총 4 종류의 층을 한번에 성장하는 방식으로 DH구조를 성장하였다. 광학적 특성에서는 EL을 통하여 In의 조성에 따라 장파장 영역의 특성이 증가함을 확인하였고, Multi-wavelength 광발광을 증명하기 위해 PL 측정하였고 활성층의 밴드갭과의 연관성을 증명하였다.이로써 MS-HVPE법을 통한 질화물 반도체의 결정성장과 DH구조 LED 제작에 있어 발생되는 특수한 현상을 일부분이나마 설명하고 입증하였으며, 앞으로 LED분야의 제작공정에서 우리의 MS-HVPE 기법과 혼합원료 방법이 분명히 다양한 강점이 될 수 있음을 다시 한번 확인하였다. 그리고 이러한 방법을 통해서 공정단가가 우수한 LED 제작에 가능성이 있음을 증명하였다. | - |
| dc.description.tableofcontents | 1. 서 론 2. 이론적 배경 2.1. Ⅲ족 질화물계 반도체의 특성 2.2. 발광 다이오드 (Light-Emitting Diode) 2.3. 이론 요약 3. 실 험 3.1. MS-HVPE 방법 3.2. DH 구조 성장 전 준비 공정 3.3. Ⅲ족 질화물 반도체 DH 구조 성장 3.4. DH 성장 후 공정 4. 결과 및 분석 4.1. GaN 활성층의 발광 다이오드의 특성 4.2. AlGaN 활성층의 발광 다이오드 특성 4.3. InAlGaN 활성층의 발광 다이오드 특성 5. 결 론 참 고 문 헌 | - |
| dc.language | kor | - |
| dc.publisher | 한국해양대학교 | - |
| dc.title | Ⅲ족 질화물 반도체를 이용한 異種接合구조 발광다이오드의 성장과 특성에 관한 연구 | - |
| dc.title.alternative | Study on The Growth and Properties of Double-Hetero Structure LED of Ⅲ-Nitride Semiconductors | - |
| dc.type | Thesis | - |
| dc.date.awarded | 2012-02 | - |
| dc.contributor.alternativeName | Lee Gang-Seok | - |
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