Ⅲ족 질화물 반도체를 이용한 異種接合구조 발광다이오드의 성장과 특성에 관한 연구

Abstract

본 논문에서 GaN와 AlGaN, InAlGaN 등의 질화물 반도체를 이용하여 발광다이오드 소자를 제작하였다. 그리고 MS-HVPE 방법을 이용하여 n-clad 층, 활성층, p-clad층, p-cap층 등 총 4 종류의 층을 한번에 성장하는 방식으로 DH구조를 성장하였다.

광학적 특성에서는 EL을 통하여 In의 조성에 따라 장파장 영역의 특성이 증가함을 확인하였고, Multi-wavelength 광발광을 증명하기 위해 PL 측정하였고 활성층의 밴드갭과의 연관성을 증명하였다.이로써 MS-HVPE법을 통한 질화물 반도체의 결정성장과 DH구조 LED 제작에 있어 발생되는 특수한 현상을 일부분이나마 설명하고 입증하였으며, 앞으로 LED분야의 제작공정에서 우리의 MS-HVPE 기법과 혼합원료 방법이 분명히 다양한 강점이 될 수 있음을 다시 한번 확인하였다. 그리고 이러한 방법을 통해서 공정단가가 우수한 LED 제작에 가능성이 있음을 증명하였다.