한국해양대학교

Detailed Information

Metadata Downloads

Ⅲ족 질화물 반도체를 이용한 異種接合구조 발광다이오드의 성장과 특성에 관한 연구

Title
Ⅲ족 질화물 반도체를 이용한 異種接合구조 발광다이오드의 성장과 특성에 관한 연구
Alternative Title
Study on The Growth and Properties of Double-Hetero Structure LED of Ⅲ-Nitride Semiconductors
Author(s)
이강석
Publication Year
2012
Publisher
한국해양대학교
URI
http://kmou.dcollection.net/jsp/common/DcLoOrgPer.jsp?sItemId=000002174503
http://repository.kmou.ac.kr/handle/2014.oak/10135
Abstract
본 논문에서 GaN와 AlGaN, InAlGaN 등의 질화물 반도체를 이용하여 발광다이오드 소자를 제작하였다. 그리고 MS-HVPE 방법을 이용하여 n-clad 층, 활성층, p-clad층, p-cap층 등 총 4 종류의 층을 한번에 성장하는 방식으로 DH구조를 성장하였다.

광학적 특성에서는 EL을 통하여 In의 조성에 따라 장파장 영역의 특성이 증가함을 확인하였고, Multi-wavelength 광발광을 증명하기 위해 PL 측정하였고 활성층의 밴드갭과의 연관성을 증명하였다.이로써 MS-HVPE법을 통한 질화물 반도체의 결정성장과 DH구조 LED 제작에 있어 발생되는 특수한 현상을 일부분이나마 설명하고 입증하였으며, 앞으로 LED분야의 제작공정에서 우리의 MS-HVPE 기법과 혼합원료 방법이 분명히 다양한 강점이 될 수 있음을 다시 한번 확인하였다. 그리고 이러한 방법을 통해서 공정단가가 우수한 LED 제작에 가능성이 있음을 증명하였다.
Appears in Collections:
응용과학과 > Thesis
Files in This Item:
000002174503.pdf Download

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.

Browse